Neue Transistor-Technologie in kommenden Intel Prozesoren

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Auf dem Weg zu immer kleineren Strukturgrößen bei aktuellen Prozessoren stoßen die Entwicklungsingenieure bisweilen an die Grenzen des Machbaren und müssen immer wieder neue Technologien entwickeln, um die Siliziumstrukturen auf einem Halbleiterchip immer weiter zu verkleinern. Hintergrund dafür sind niedrigere Leistungsaufnahme bedingt durch geringere Leckströme innerhalb des Chips, was außerdem zu einer niedrigeren thermischen Verlustleistung führt.

Momentan produziert Intel im 32nm Verfahren, wird bei der kommenden Architektur Ivy-Bridge aber schon auf 22nm umstellen. Um die Strukturen weiter zu schrumpfen wird Intel entgegen der bisher üblichen planaren FETs (Feld-Effekt-Transistoren) auf einen nicht ganz neuen aber dennoch bisher nie in Desktop-CPUs verwendeten Transistortyp umsteigen, den sogenannten Fin-FET, welcher im Gegensatz zum planaren Transistor in die Höhe gebaut ist. Das Prinzip ähnelt dem eines Wolkenkratzers, denn man benötgit durch die große Bauhöhe nur wenig Platz auf dem Boden, erzielt aber dennoch den gewünschten Effekt, nämlich eine große Wohnfläche.

Auf diesem Bild ist ein Verband aus Fin-FETs unter
dem Elektronenmikroskop zu sehen.

Intel verspricht sich von der neuen Technologie nicht nur die Realisierung einer geringeren Strukturgröße, sondern eine sehr große Effizienz, so sollen die neuen Chips in denselben Anwendungen wie bisherige Prozessoren bis zu 37 Prozent schneller arbeiten und dabei nur 50 Prouzent der Leistung aufnehmen.

Quelle: nytimes.com

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